研究方向1：半导体发光器激光器光电特性

研究方向2：半导体器件物理

2013.6-2014.6，美国华盛顿大学，留学，青年骨干教师出国研修

2008—— 至今 ，天津大学，物理系，工作

2005年－2008年，天津大学，物理系，博士，导师：姜恩永，协助导师：王存达

2002年－2005年，天津大学，物理系，硕士，导师：王存达

1998年－2002年，天津师范大学，物理与电子学院，本科

(*通讯作者)：

1. L. F. Feng*, Y. Li, D. Li, X. D. Hu, W. Yang,2 C. D. Wang,1,2 and Q. Y. Xing3l. Precise relationship between voltage and frequency at the appearance of negative capacitance in InGaN diodes, Appl. Phys. Lett. 101, 233506, 2012.

2. 李杨，冯列峰*，李丁，王存达，邢琼勇，张国义，半导体GsN基蓝光发光二极管的精确电学特性，光电子激光，2013.

3. D Li, W Yang, LF Feng, Peter W. Roth, J He, WM Du, ZJ Yang, CD Wang, GY Zhang, XD Hu*, Stimulated emission related anomalous change of electrical parameters at threshold in GaN-based laser diodes, APPLIED PHYSICS LETTERS 102, 123501, 2013.

4. Y. Li, C.D. Wang, L.F. Feng*, C.Y. Zhu, H.X. Cong, D. Li, G.Y. Zhang, Elucidating negative capacitance in light-emitting diodes using an advanced semiconductor device theory, J. Appl. Phys. 109, 124506, 2011.

5. Feng LieFeng*, Li Yang, Li Ding, Wang CunDa, Zhang GuoYi, Yao DongSheng, Liu WeiFang, Xing Peng-Fei, Frequency Response of Modulated Electroluminescence of Light-Emitting Diodes, CHIN. PHYS. LETT.

Vol. 28, No. 10 (2011) 107801.

6. Yang Li, Ding Li, CunDa Wang, LieFeng Feng*, Electrical Behaviors of LEDs prepared by Wide-band GaN Material, Advanced Materials Research Vols. 284-286 (2011) pp 2202-2206.

7. L.F. Feng*, Y. Li, C.Y. Zhu, H.X. Cong, and C.D. Wang, Negative Terminal Capacitance of Light Emitting Diodes at Alternating Current (AC) Biases, IEEE J. Quantum Electronics, 2010, 46(7): 1072-1075.

8. L.F. Feng*, C.D. Wang, H.X. Cong, C.Y. Zhu, J. Wang, X.S. Xie, C.Z. Lu, and G.Y. Zhang, Sudden Change of Electrical Characteristics at Lasing Threshold of a Semiconductor Laser, IEEE J. Quantum Electronics,2007, 43(6): 458-461.

9. L.F. Feng*, D. Li, C.Y. Zhu, C.D. Wang, H.X. Cong, X.S. Xie, C.Z. Lu, Simultaneous Sudden Changes of Electrical Behavior at the Threshold in Laser Diodes, J. Appl. Phys., 2007, 102: 063102.

10. L.F. Feng*, D. Li, C.Y. Zhu , C.D. Wang , H.X. Cong , G.Y. Zhang , W.M. Du, Deep Saturation of Junction Voltage at Large Forward Current of Light Emitting Diodes, J. Appl. Phys., 2007, 102: 094511.

11. Feng Lie-feng*, Zhu Chuan-yun, Chen Yong, Zeng Zhi-bin, and Wang Cun-da, Mechanism of negative capacitance in LEDs, Optoelectronis Letters, 2005, 1(2): 127-130.

12. Feng Lie-feng*, Wang Jun, Zhu Chuan-yun, Cong Hong-xia, Chen Yong, and Wang Cun-da, Experimental study of negative capacitance in LEDs, Optoelectronis Letters, 2005, 1(2): 124-126.

13. 冯列峰*、李杨、李丁、王存达、张国义，半导体激光阈值处电学性质突变对应的物理图象，光电子激光，2010，21（11）：1626-1630.

14. 冯列峰*、李杨、从红侠、王存达，650 nm波长发光器件的电学特性研究，天津师范大学学报，2010，30（3）：67-69.

15. 冯列峰*、李杨、王军、丛红侠、朱传云、王存达、张国义，发光二极管的低频电容特性，光电子激光，2009, 20(12):1565-1568.

16. 冯列峰*、朱传云、 陈永、曾志斌、王存达，发光二极管中负电容现象的机理，光电子?激光，2006,17(1):5-8.

17. D Li, H Zong, W Yang, LF Feng, J He, WM Du, CD Wang, YH Xie, ZJ Yang, B Shen, GY Zhang, and XD Hu*,Stimulated emission in GaN-based laser diodes far below the threshold region, OPTICS EXPRESS 2536,2014.

18. W Yang, SL Zhang, Jonathan J. D. McKendry, J Herrnsdorf, PF Tian, Z Gong, QB Ji, IM. Watson, ED Gu, MT D.Dawson, LF Feng, CD Wang, XD Hu*, Size-dependent capacitance study on InGaN-based micro-light-emitting diodes, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 116, 044512, 2014.

19. Q.Q. Wei,Z.Q. Li, X.Y. Zhou, Y. Tian, L.F. Feng, D.S. Yao*, Dependence of soft magnetic properties and high frequency characteristics onfilm thickness for Ni75Fe25-ZnO nano-granular films, J. Alloy and Compounds,513, 23-26, 2012.

20. C.Y. Zhu*, L.F. Feng, C.D. Wang, H.X. Cong, G.Y. Zhang, Z.J. Yang, Z.Z. Chen, Negative capacitance in light-emitting devices, Solid State Electronics, 2009, 53: 324-328.

21. C.Y. Zhu*, C.D. Wang., L.F. Feng, G..Y. Zhang, L.S. Yu, J. Shen, A Novel Method of Electrical Characterization of a Semiconductor Diode at Forward Bias, Solid State Electronics, 2006, 50(5): 821-825.

22. 丛红侠*、冯列峰、王 军、朱传云、王存达、谢雪松、吕长志，激光二极管正向电特性的精确检测，半导体学报，2006, 27(1): 105-109.

23. 王军*、冯列峰、朱传云、丛红侠、陈永、王存达，发光二极管中负电容现象的实验研究，光电子激光，2006, 17(1): 1-4.

24. 陈永*、冯列峰、朱传云、王存达, 发光二极管中负电容的测试及判定, 河北工业大学学报，2005，4（34）：24-2.

25.Wu S, Buckley S, Schaibley J R, Feng L F, Yan J Q, David G M, Fariba H, Yao W, Jelena V, Arka M, Xu XD, Monolayer semiconductor nanocavity lasers with ultralow thresholds[J]. Nature, 2015, 520(7545): 69-72.

会议论文：

1. 李杨，冯列峰*，先进半导体器件理论中p-n结的电容电导特性，第十八届全国半导体物理学术会议, 20/8/2011.

2.D. Li*, W. Yang, C.H. Wan, L. Wang, N.Y. Liu, L. Liu, W.Y. Cao, L. Li, Y.Z. Wang, W.M. Du, L.F. Feng, C.D. Wang,X.D. Hu, G.Y. Zhang, Anomalous Changes of Electrical Parameters in GaN based Laser, Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors, 22/5/2011.

3.冯列峰*，李杨，王存达，发光二极管的低频特性，第十七届全国半导体物理学术会议, 10/8/2009.

4.D Li, W Yang, CH Wang, L Wang, NY Liu, L Liu, WY Cao, YZ Wang, WM Du, LF Feng, CD Wang, ZJ Yang,XD Hu, GY Zhang, Highly Polarized Light Emission in GaN Opto-Electronics Devices, 9th International Conference of Nitride Semiconductors, 10/7/2011.

5.C.D. Wang, X. Cong, C.Y. Zhu, L.F. Feng，Sudden change of electrical characteristics at lasing threshold of semiconductor laser，Proceedings of the eight Chinese optoelectronics symposium, 25/6/2006,会议邀请报告.

6.王存达、从红侠、朱传云、冯列峰，半导体激光器激射阈值处电特性的突变，凝聚态光学研究进展,第十三届全国凝聚态物质光学性质学术论文集，4/8/2006，分会邀请报告.

7.冯列峰*、李丁、丛红侠、王存达，对激光器电导数曲线的分析和数值拟合，凝聚态光学研究进展，第十三届全国凝聚态物质光学性质学术论文集，4/8/2006，分会口头报告.

8.冯列峰*、王军、李丁、王存达、张国义，发光二极管正向电特性的精确检测，凝聚态光学研究进展，第十三届全国凝聚态物质光学性质学术论文集，4/8/2006，分会口头报告.

大学物理概论，大学物理实验

主持：北洋学青年学者——青年骨干教师项目，2014.1-2015.12

国家自然科学基金，利用物理学原理对经典肖克莱半导体二极管理论的修正，2013.1-2015.12，

天津市重点项目，铁磁多铁复合薄膜的磁电耦合，2013-2015，

参与：国家自然科学基金，61177014，InGaZnO/有机半导体复合沟道双极性TFT的界面行为与CMOS集成器件研究，2012-2015.

主持：国家自然科学基金面上项目，半导体发光器件在大电流下的电特性与发光特性，2009.01-2011.12.

参与：国家自然科学青年基金，铁磁性金属-半导体纳米颗粒薄膜的高频软磁特性研究，2010.01- 2012.12；

国家自然科学基金，氮化镓基发光器件的电学频率特性，2004.1-2006.12.

4人

担任工程类国际顶级期刊（IEEE Photonics Technology Letters、IEEE Transactions on Electron Devices），

物理类学术期刊Applied Physics letter，journal applied physics和其他刊物（Optical and Quantum Electronics，光电子激光）的通讯评审员。